MOS开关的下降沿出现尖峰，可能是由于寄生电容放电过慢或其他电路因素的影响。添加反向肖特基二极管可能会对改善尖峰有所作用，但具体效果需要考虑以下因素：
- 寄生电容：寄生电容是电路中不可避免的部分，它们会在电压变化时进行充电和放电。如果寄生电容较大，放电时间会变长，从而导致尖峰的出现。通过优化电路设计、减小寄生电容或使用适当的去耦技术，可以降低尖峰的影响。
- 电路拓扑：电路拓扑结构对MOS开关的下降沿尖峰也有影响。例如，使用适当的电阻或电感可以限制电流，从而减小尖峰。
- 肖特基二极管：反向肖特基二极管可以在电路中提供快速放电路径，从而加速寄生电容的放电过程。然而，添加肖特基二极管需要考虑其自身的电容和电压额定值，以确保不会引入新的限制或不良效果。
改善MOS开关下降沿尖峰的方法有很多种，具体取决于应用需求和电路设计。可以通过仿真和实验来验证各种解决方案的效果。在设计和应用过程中，考虑以上因素，并根据具体情况进行调整和优化。
改善方法：
对于改善MOS开关下降沿的尖峰，可以考虑以下几种方法：
- 优化MOS管源极走线，包括对应的地线，减小整个功率回路的寄生电感，以降低负脉冲。
- 在MOS管的源极和地之间并联一个电阻或电容，以减小源极电压的尖峰值。
- 在MOS管的栅极和源极之间串联一个电阻或电容，以减小栅源电压的尖峰值。
- 使用具有较低开关速度的 MOS 管，以降低电压尖峰的幅值。
- 添加反向肖特基二极管，为寄生电容提供快速放电路径，从而加速电容的放电过程。
以上方法可以单独或组合使用，具体取决于应用需求和电路设计。在实施过程中，需要注意器件选择、电路布局、驱动时序等方面的问题，并根据实际情况进行调整和优化。