前言 本系列内容主要介绍STM32F1系列的MCU硬件电路设计，为避免内容过长带来阅读疲劳，内容分为最小系统篇、USB/CAN接口篇、FSMC接口篇讲解。如果你只关注最小系统能否工作，那你只需看最小系篇即可。 本系列内容的相关资料可在公众号“ecircuitlab”后台回复消息 下载|STM32F1 获取。 01 — 芯片供电 STM32F1系列的MCU电源轨比较简单，从规格书P44的Table10可以看到，共有VDD、VDDA、和VBAT三组电源轨。该系列MCU有LQFP144、LQFP100、LQFP64、LFBGA144四种不同类型封装，芯片电源轨供电要求和不同封...

本文内容的相关资料可在公众号“ecircuitlab”后台回复:下载|STM32F7获取 SDRAM简介 SDRAM（synchronousdynamicrandom-accessmemory）即同步动态随机存取内存。在介绍SDRAM前，我们先了解下DRAM（Dynamicrandom-accessmemory），DRAR中文译为动态随机存取内存，也叫动态随机存取器，为什么叫动态随机存取器，原因是它的实现原理跟静态存储器SRAM不一样，DRAM是在芯片里集成很多个阵列的电容，DRAM存储二进制数据0和1就是通过给这些阵充放电荷实现。一个简单的单个DRAM存储单元示例图如下图所示。 ...

前面文章“硬件电路设计-百兆网篇”介绍百兆网的常用电磁隔离方式，文中提到除了电磁隔离，还可以用电容隔离，电容隔离相对电磁隔离就简单得多了，不用搞个大黑块，在板子上碍事。但是电容隔离有它优势也有它的劣势，大家根据情况酌情选择就行，这里先放上电容隔离方案的图，如下。 图1.百兆网采用电容隔离的方案电路图 从上面图1中可以看到，使用百兆网使用电容隔离非常简单，就是把以前的网络变压器拿走，然后信号线上串33nF的电容即可。参考以太网标准，注意电容耐压必须是2250V以上，以太网标准里这个隔离必须能抗住1500V2250V电压加在上面60秒不会把PHY芯片搞坏。当然，电容值也不能乱选，具体细节我下面慢...

本文内容的相关资料获取可在公众号“ecircuitlab”后台发送关键字: 下载|STM32F7 注意！！！需要发送完整的内容“下载|STM32F7”过去，后台才能自动回复资料信息，建议直接复制过去发送。 说明：本公众号的网站因为功能新增在重写中，网址www.ecircuitlab.com暂时不开放访问，预估在6月上线 之前有去写过ST的F0和F1系列的电路设计，其实对于ST家的MCU，基础电路设计都差不多一样，只不过一些高性能的MCU可能会额外多一些细节需要注意，比如像今天要聊的F7一样。 当我们确定项目要使用STM32F7系列的MCU后，拿到芯片规格书，按照ST规格书的风格，一般都...