BUK9M31-60ELX 车用ASFET（面向安全气囊应用）与标准DPAK封装相比，LFPAK33可节省84%的空间。此ASFET符合AEC-Q101标准，在部署安全气囊条件下能够可靠运行。这些应用专用MOSFET (ASFET) 可满足安全气囊应用的特殊需求，专注于增强安全工作区 (SOA) 性能，改进线性模式。典型应用包括12V汽车系统和安全气囊爆管稳压器MOSFET。

描述：表面贴装型 N 通道 60 V 35A（Ta） 62W（Ta） LFPAK33

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：37 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1867 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：62W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK33

封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）

明佳达电子/星际金华（回收、供应）车规级MOSFET，BUK4D122-20PX（20V）、BUK9M31-60ELX N 通道60V表面贴装型

2、BUK4D122-20PX是一款P通道增强模式场效应晶体管(FET)采用无铅中功率DFN2020MD-6 (SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装，采用Trench MOSFET技术。

描述：表面贴装型 P 通道 20V 3.2A 175°C DFN2020MD-6

特性：

扩展温度范围Tj = 175℃

小型无引线超薄SMD塑料封装:2 × 2 × 0.65 mm

镀锡100%可焊侧垫，用于光学焊料检查

静电放电(ESD)保护> 2kv HBM

沟槽MOSFET技术

AEC-Q101合格

应用：

• 继电器驱动程序

• 高速线路司机

• 高侧负载开关

• 开关电路