NXH240B120H3Q1 是一款 3 沟道 1200 V IGBT + SiC 升压模块。每个沟道由一个快速开关 80 A IGBT、一个 20 A SiC 二极管、一个旁通二极管和一个 IGBT 保护二极管组成。该模块具有内置的热敏电阻和压接引脚。

IGBT 模块：NXH240B120H3Q1SG、NXH240B120H3Q1PG（明佳达电子供求库存）

产品描述：电源集成模块 (PIM) 3 沟道，1200 V IGBT + SiC 升压，80 A IGBT 和 20 A SiC 二极管

IGBT 类型：沟槽型场截止

配置：三，双 - 共源

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：68 A

功率 - 最大值：158 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A

电流 - 集电极截止（最大值）：400 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)：18.151 nF @ 20 V

输入：标准

NTC 热敏电阻：是

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：32-PIM（71x37.4）

应用

太阳能逆变升压级

终端产品

分散式公用事业规模太阳能逆变器

商用组串逆变器

特点

•1200 V超磁场截止IGBT

•低反向恢复和快速开关SiC二极管

•低电感布局

•按压配合销

•热敏电阻

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