SP9683E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，集成650VGaN功率器件，适合设计在离线式USB-PD和USBType-C等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于75mW。 芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在PD/PPS调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的LPS要求。 VDD工作范围9V54V，在满载输出时，IC在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC工作在跳频Burst模式；采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，...

IU5530E是一款具有集成型高侧MOSFET的48V、3.5A降压稳压器。能够耐受的抛负载脉冲高达50V。一个低纹波脉冲跳跃模式将无负载时的电源电流减小至180μA。当启用引脚被拉至低电平时，关断电源电流被减少至4μA。 欠压闭锁在内部设定为4.3V，但可用使能引脚将之提高。可在内部控制输出电压启动斜坡，从而控制启动过程并消除过冲。 宽开关频率范围可实现对效率或者外部组件尺寸的优化。频率折返和热关断功能在过载情况下保护内部和外部组件不受损坏。 IU5530E提供了纤小的ESOP8封装类型供客户选择其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 4.5V至48V输入电压范围，具有内部斜坡补偿的电...

FP6276是一款电流模式同步升压型DC-DC转换器，pwm/psm控制。它的pwm电路，内置55mΩ高侧开关和55mΩ低侧开关使该调节器具备高节能。内部补偿网络也最大限度地减少多达6个外部元件数量。误差放大器的非反相输入端连接到一个0.6v精度参考电压和内部软启动功能可降低浪涌电流。 FP6276是台湾远翔科技生产，主要是直接代替G5177C。 输入电压：2.4V至4.5V 输出电压：最大5.3V 输出电流：2.1A，或者2.1A以下。 如果输出电流需要2.4A，可以看FP6276B，内置MOS内阻更低。脚位不一样。 如果输出电流需要3.0A，可以看FP6277。脚位基本一样，除了7脚改...

SD130T是一款完整的双节锂离子电池充电器，带电池正负极反接保护，采用恒定电流/恒定电压线性控制。只需较少的外部元件数目使得SD130T便携式应用的理想选择。SD130T可以适合USB电源和适配器电源工作。 由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压固定于4.25V，内部预设1A充电电流。当电池达到4.25V之后，充电电流降至设定值1/10，SD130T将自动终止充电。 当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时，SD130T自动进入一个低电流状态...

FP6293是远翔一款DC-DC升压IC,工作电压2.6-5.5V,最高12V输出电压可调，内置0.14MQ,3.5A,18V功率MOSFET,工作频率是1MHz,关机电流0.1μA,典型应用为3V升12V0.75A(82%效率),很受欢迎，被很多工程推荐使用给锂电池升压。 FP6293最大功率可达8w，输出电压最高12V，如单节锂电池3-4.2V可应用为5V1.5A，9V0.8A，12V0.6A。 FP6293是一个电流模式升压DC-DC转换器。它的PWM电路内置0.14Ω功率MOSFET使该调节器高效。内部补偿网络还可以最小化多达6个外部组件计数。误差放大器的非反相输入连接到一个0.6...

FP6296是一颗电流控制模式升压转换器，脉波宽度调变(PWM)，内置15mΩ/10A/14VMOSFET，能做大功率高转换效率，周边元件少节省空间，适合用在行动装置，宽工作电压2.7V12V，单节与双节锂电池都能使用，精准反馈电压1.2V(±2%)，过电流保护透过外部电阻调整，电流控制模式让暂态响应与系统稳定性佳，轻载进入省电模式(SkipMode)，达到轻载高效率，封装为SOP-8L(EP)。 DC-DC升压是很多电子产品常用的电路。随着集成电路技术的发展，大电流，大压差，DC-DC升压IC也很成熟。FP6296广泛应用到单节锂电池3.7V供电的手持风扇、便携式电动工具、电子烟、蓝牙音...

FP6298低噪声4.5A升压型电流模式PWM转换器。 FP6298是电流模式的升压型DC-DC转换器。这是PWM电路，内置0.08Ω功率MOSFET，使该稳压器高节能。内部补偿网络也最大限度地减少了多达6个外部元件数量。误差放大器的非反相输入端连接到一个0.6V的精确的参考电压，内部软启动功能，可以减少浪涌电流。FP6298是可供选择的SOP-8L封装（EP）。139接2659头6180. 可调输出高达9V，内部固定PWM频率：500KHz，精密反馈参考电压：0.6V（±2%），内置0.08Ω，4.5A，12V功率MOSFET，关断电流：0.1μA，过温保护，过电压保护，可调的过电流保护...

器件描述：漏源电压（Vdss）：600V连续漏极电流（Id）（25°C时）：4A(Tc)栅源极阈值电压：4.5V@50uA漏源导通电阻：2Ω@2A,10V最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc)类型：N沟道N沟道600V4A，请139对2659接6180。 应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中的桥式整流器和反激式变换器，可用于高频开关电源中的半桥和全桥拓扑结构。 总之，STD4NK60ZT4是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用场合。 STD4NK60ZT4，LM317MDT-TR，L78M12CDT-TR，L7...

IU86751E是一款2x28W立体声；在单声道使用的情况下；最高可输出50W高效D类音频功率放大电路。先进的EMI抑制技术使得在输出端口采用廉价的铁氧体磁珠滤波器就可以满足EMC要求。IU86751E音频功率放大器是为需要输出高质量音频功率的系统设计的，它采用表面贴装技术，只需少量的外围器件，便使系统具备高质量的音频输出功率。 IU86751E内置了过流保护，短路保护和过热保护，有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。IU86751E可以驱动低至4Q负载的扬声器，最高可提供50W的连续功率；IU86751E具有高达92%的效率，使得在播放音乐的时候不需要额外的散热器。 较大的电源电压范...

IU5200D是一款自动申请快充输入，开关模式升降压充电管理IC,用于14节锂离子电池和锂聚合物电池，以及15节磷酸铁锂电池。芯片集成包括4开关MOSFET、输入和充电电流感应电路、电池以及升降压转换器的环路补偿。芯片具有3A的充电电流能力，充电电流可以通过外部电阻灵活可调。 IU5200D内置四个环路来控制充电过程，分别为恒流 (CC)环路、恒压(CV)环路、芯片温度调节环路、可智能调节充电电流，防止拉垮适配器输出，并匹配所有适配器的输入自适应环路，其输入自适应点通过外部分压电阻灵活可调。 IU5200D通过调节电池外部反馈电阻的分压比例，得到不同的恒压充电电压值，从而适配不同节数和规格的...