器件描述：漏源电压（Vdss）：600V连续漏极电流（Id）（25°C时）：4A(Tc)栅源极阈值电压：4.5V@50uA漏源导通电阻：2Ω@2A,10V最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc)类型：N沟道N沟道600V4A，请139对2659接6180。 应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中的桥式整流器和反激式变换器，可用于高频开关电源中的半桥和全桥拓扑结构。 总之，STD4NK60ZT4是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用场合。 STD4NK60ZT4，LM317MDT-TR，L78M12CDT-TR，L7...