1 前言 闪存有两种分类，NAND型闪存主要用于存储 写操作 ■MOS的特性 给栅极高电平，就导通 给栅极低电平，就截止 在MOS管的基础上加入浮栅层和隧穿层就变成浮栅晶体管（存储一位数据的基本单位） ■浮栅晶体管写操作（逻辑0） 当给栅极施加较高的高电平（较高的高电平才能让电子穿过隧穿层），电子到浮栅层就被绝缘层阻碍了 当给栅极低电平时，这时隧穿层就相当于绝缘层，这样电子就被存储起来了，这时隧穿层有电子表示逻辑0 ■浮栅晶体管写操作（逻辑1） 这时给衬底较高的高电平时，电子就会从隧穿层被吸引出来，这时隧穿层没电子表示逻辑1 ■小结 根据浮栅层有无电子就可以判断两种...